Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой
Исследователям американских университетов Пердью и Гарвард удалось отыскать уже много новых материалов для изготовления компьютерных чипов и транзисторов с трёхмерной структурой, которые, как говорится, призваны прийти на смену успешно использующемуся долгие годы кремнию.
В середине 2012 года корпорация Intel начала производство самых первых в Мире процессоров, которые используют инновационную технологию под названием Tri-Gate, подразумевающую переход от планарных структур чипов и транзисторов к их объёмным аналогам.
Следует отметить, что 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge характеризуются феноменальным быстродействием по сравнению с прежними 32-нанометровыми транзисторами. Величина роста производительности превышает 37%!
На фото представлено схематичное изображение транзисторов с планарной и трёхмерной структурой.
Это можно сравнить с производительностью современных компьютерных промышленных швейных машин и оверлоков, которые хранят информацию и автоматически, под управлением встроенных микропроцессоров, выбирают нужные режимы.
Более того, начались исследования разработок по внедрению 14-нанометровой технологии в производство.
Однако в дальнейшем миниатюризация чипов, по мнению американских учёных, будет связана с рядом трудностей, которые отчасти связаны с физическими ограничениями размеров элементов и свойствами кремния.
Поэтому вместо кремния специалисты предлагают использовать полупроводники III-V групп, в которые входят элементы бора и азота. Например, арсенид индия-галлия, больше известный как InGaAs.
Фактически применение InGaAs в чипах с трёхмерной структурой гарантирует преодоление рубежа в 10 нанометров, что, в свою очередь, означает возможность разработки еще более производительных процессоров при наименьшем энергопотреблении.
Результаты исследований и разработок будут представлены на конференции International Electron Devices Meeting, которая состоится в Вашингтоне.